Kórejsky technologický gigant, spoločnosť Samsung, spúšťa masovú výrobu prvých 32 GB 3D V-NAND flash čipov. Tie sú založené na použití 48 vrstiev 3 bitových MLC buniek. Nasadením novej technológie tak zdvojnásobuje predošlú maximálnu kapacitu svojich čipov. Tieto nové čipy by mali umožniť používať viac-terabajtové SSD disky ako cenovo dostupné riešenia pre počítače, ale aj pomôcť výrobcom mobilných zariadení, ktorí tak budú môcť „natlačiť“ viac pamäte do svojich zariadení.
Nové 48 vrstvové V-NAND flash čipy máju v porovnaní s predchádzajúcou generáciou 32 vrstvových čipov, ktorých maximálna kapacita predstavovala 16 GB o 30% nižšiu energetickú spotrebu pri manipulácii s rovnakým množstvom dát. Samsung zároveň zefektívnil aj samotný výrobný proces o približne 40% , čo by sa malo prejaviť na cenách zariadení, ktoré budú tieto čipy využívať. No ako je zvykom, potrvá istý čas, kým sa to prejaví na trhu.
Podľa vyjadrení Samsung plánuje čipy produkovať počas celého zvyšku tohto roka, čím chce nástup cenovo prijateľných viac-terabajtových SSD diskov na trh urýchliť. Okrem iného sa chce zamerať aj na firemný sektor a dátové centrá s novými riešeniami pre rozhrania PCIe NVMe a SAS.
Zdroj: Samsung